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J-GLOBAL ID：201902211865752901   整理番号：19A2598656

ミニマルファブを活用したダイヤモンドSBDの試作と評価

著者 (11件)： 花田尊徳 (北大) ,  梅沢仁 (産業技術総合研) ,  大曲新矢 (産業技術総合研) ,  竹内大輔 (産業技術総合研) ,  根本一正 (産業技術総合研) ,  根本一正 (ミニマルファブ推進機構) ,  KHUMPUANG Sommawan (産業技術総合研) ,  KHUMPUANG Sommawan (ミニマルファブ推進機構) ,  原史朗 (産業技術総合研) ,  原史朗 (ミニマルファブ推進機構) ,  金子純一 (北大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18p-PA4-20  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： ダイヤモンドは、高温や放射線照射など過酷環境下で動作する高出力・低損失の次世代パワー半導体材料として期待されている。ダイヤモンドSBD (Schottky barrier diode:ショットキーバリアダイオード)は、400°Cを超える高温に...【本文一部表示】

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *ダイヤモンド ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電流電圧特性 ,  基板 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ミニマルファブ ,  半絶縁性基板 ,  ダイヤモンド半導体

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： ミニマルファブ ,  活用 ,  ダイヤモンド ,  SBD ,  試作 ,  評価