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J-GLOBAL ID:201902211922778436   整理番号:19A1887961

磁気電気材料の分子設計原理:最適分子発色団に関連した全電気感受率【JST・京大機械翻訳】

Molecular Design Principles for Magneto-Electric Materials: All-Electric Susceptibilities Relevant to Optimal Molecular Chromophores
著者 (4件):
資料名:
巻: 121  号: 30  ページ: 16491-16500  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分子レベルでの磁気電気(M-E)応答は光の電場と磁場との相互作用から生じ,非線形M-E磁化(M_NL)またはM-E整流(P_NL)としてそれ自身を表すことができる。しかし,分子材料特性がどのようにM-E応答に影響するかについての理解は限られている。ここでは,M-E非線形係数と三次電気感受率χ~(3)の間の関係を調べ,M_NLがχ_xxxx(3)に比例し,一方,P_NLはカスケード非線形性によりχ_zzx(3)をもつことを見出した。価電子結合電荷移動(VB-CT)モデルに対するχ(3)の要素に対する和過剰状態(SOS)表現を適用することにより,増強されたM-E特性を示すと期待される材料の設計に対する実用的指針を定式化した。これに基づいて,χ_xxxx(3)の大きな値をもつ多くの従来の非線形光学発色団が低強度での光学磁性の発生に適している可能性があることを予測した。M-E整流の場合,Λ形,X形,および八重極VB-CTモデルの解析は,それらの分子構造がχ_zzxx(3)を最大化することによって応答を強化するために調整できることを示唆する。特に,主にCT特性基底状態を有する八重極分子とドナーとアクセプタ部分間の弱い共役架橋を有するΛ型発色団は,非対角非線形性とM-E整流を促進するはずである。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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その他の触媒  ,  太陽電池 

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