[数式:原文を参照]の準Fermi準位分裂  乏しいおよび[数式:原文を参照]に富む[数式:原文を参照]吸収層【JST・京大機械翻訳】

Lomuscio Alberto; Rodel Tobias; Schwarz Torsten; Gault Baptiste; Melchiorre Michele; Raabe Dierk; Siebentritt Susanne

文献

J-GLOBAL ID：201902212175209527 整理番号：19A1465594

[数式:原文を参照]の準Fermi準位分裂乏しいおよび[数式:原文を参照]に富む[数式:原文を参照]吸収層【JST・京大機械翻訳】

Quasi-Fermi-Level Splitting of [Formula : see text]-Poor and [Formula : see text]-Rich [Formula : see text] Absorber Layers

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 11 号： 5 ページ： 054052 発行年： 2019年
JST資料番号： W3691A ISSN： 2331-7019 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

[数式:原文を参照]に基づく太陽電池は,[数式:原文を参照]または黄銅鉱太陽電池のための興味深いタンデムパートナーであるが,低い開回路電圧を受ける。最近,吸収体のより高い成長温度を用いることにより記録効率が達成された。より高い成長温度の効果を理解するために,[数式:原文を参照]吸収体の構造的および電子的性質を調べた。完全太陽電池と反対に吸収体のみを調べることにより,界面特性の影響から吸収体の変化を分離できる。最大開回路電圧を示す準Fermi準位分裂は,より高い成長温度で増加することができることを示した。準Fermi準位分裂は深い欠陥により制限され,その濃度はより高い成長温度で減少し,[数式:原文を参照]リッチ膜では顕著ではない。したがって,[数式:原文を参照]ベース太陽電池の開回路電圧は,界面に依存しない吸収体自身により850mV以下に制限されることを実証した。電子特性の変化とは対照的に,構造特性は調べた範囲内では温度には依存しないが,組成により著しく影響される。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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太陽電池

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[数式:原文を参照]の準Fermi準位分裂 乏しいおよび[数式:原文を参照]に富む[数式:原文を参照]吸収層【JST・京大機械翻訳】

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