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J-GLOBAL ID:201902212258208237   整理番号:19A1534505

SnTe単分子層:ドーピングによるその電子特性の調整【JST・京大機械翻訳】

SnTe monolayer: Tuning its electronic properties with doping
著者 (7件):
資料名:
巻: 130  ページ: 12-19  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0600B  ISSN: 0749-6036  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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二次元(2D)IVモノカルコゲニドは,それらの特異的な電子的性質と有望な応用のために広く注目されている。原子厚SnTeは,2DグループIVモノカルコゲニドにおける模範であり,室温で強い強誘電特性を示した。密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて,SnTe単分子層の幾何構造,形成エネルギー,バンド構造及びキャリア有効質量に及ぼすドーピングの影響を調べた。結果は,ドープ原子の半径と最外側価電子がドープ化合物の幾何構造と電子構造に著しく影響することを示した。ドナー(アクセプタ)不純物をもつSnTe単分子層は,より小さい電子(正孔)有効質量をもつn型(p型)縮退半導体に変換できた。さらに,直接バンドギャップ半導体を,SnTe単分子層にM_IVまたはX_VIをドーピングすることによって,本研究で得た。SnTe単分子層中に原子をドーピングすることにより,電気伝導率と光電変換効率も改善できる。これらの興味深い結果は,ドープしたSnTe単分子層を熱電または光電素子用の有望な候補材料としている。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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半導体結晶の電子構造  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  金属結晶の磁性 
タイトルに関連する用語 (4件):
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