Guo Hao について
Department of Mechanics, Sichuan University, Chengdu, Sichuan, 610065, China について
Jiang Wentao について
Department of Mechanics, Sichuan University, Chengdu, Sichuan, 610065, China について
She Qianqian について
Department of Mechanics, Sichuan University, Chengdu, Sichuan, 610065, China について
Fan Haidong について
Department of Mechanics, Sichuan University, Chengdu, Sichuan, 610065, China について
He Xiaoqiao について
Department of Architecture and Civil Engineering, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, China について
Tian Xiaobao について
Department of Mechanics, Sichuan University, Chengdu, Sichuan, 610065, China について
Tian Xiaobao について
Applied Mechanics and Structure Safety Key Laboratory of Sichuan Province, School of Mechanics and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu, Sichuan, 610031, China について
Superlattices and Microstructures について
強誘電性 について
二次元 について
単分子層 について
ドナー について
密度汎関数法 について
半導体 について
ドーピング について
アクセプタ について
正孔 について
有効質量 について
不純物 について
計算 について
価電子 について
電子構造 について
直接バンドギャップ について
第一原理計算 について
SnTe単分子層 について
ドーピング について
バンド構造 について
キャリア有効質量 について
密度汎関数理論 について
半導体結晶の電子構造 について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
金属結晶の磁性 について
SnTe について
単分子層 について
ドーピング について
電子 について