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J-GLOBAL ID：201902212612436882   整理番号：19A2441659

自動車応用のためのバンドギャップ基準コンパレータクランプとデュアルレベルシフタを備えた2~10MHz GaN HEMTハーフブリッジドライバ【JST・京大機械翻訳】

A 2-10 MHz GaN HEMTs Half-Bridge Driver With Bandgap Reference Comparator Clamping and Dual Level Shifters for Automotive Applications

著者 (3件)： Yan Renhui (Institute of VLSI Design, Department of College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Xi Jianxiong (Institute of VLSI Design, Department of College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  He Lenian (Institute of VLSI Design, Department of College of Information Science & Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Transactions on Industrial Electronics  (IEEE Transactions on Industrial Electronics)
巻： 67  号： 2  ページ： 1446-1454  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0234A  ISSN： 0278-0046  CODEN： ITIED6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)はそれらの優れた特性により有望なパワーデバイスである。しかし,GaN HEMTは雑音と電圧スパイクに敏感な脆弱なゲートを持ち,電力変換器におけるそれらの実装を制限する。本論文は,高スイッチング周波数自動車応用のために,バンドギャップ基準コンパレータクランプ(BGRCC)と二重レベルシフタ(DLS)を有するGaN HEMTハーフブリッジドライバを提示した。BGRCC方式は,許容可能な電圧リプルを有する適切なレベルでブートストラップレール電圧を適応的にクランプすることができて,それは高い側面のGaN HEMTの安全性を保証した。一方,DLS方式を,低い伝搬遅延と高いdv/dt免疫を有するGaN HEMTを効果的に駆動するために,高い側と低い側の両方の駆動経路に適用した。提案されたドライバは,0.18μmの高電圧バイポーラ相補型金属酸化物半導体(CMOS)-二重拡散金属酸化物半導体(DMOS)プロセスで作製され,2~10MHzの動作をサポートできる。機能性と性能を実験結果により検証した。GaN HEMTによるこのドライバを利用したバックコンバータは,2MHzで動作するとき,16.5W出力電力定格において,最大効率91.58%を達成し,従来のシリコンベース電力変換器より優れており,自動車応用に適している。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力変換器 ,  定格 ,  雑音 ,  *クランプ ,  窒化ガリウム ,  *自動車 ,  電圧
準シソーラス用語： バックコンバータ ,  二重拡散 ,  バイポーラ ,  スイッチング周波数 ,  脆弱性 ,  パワーデバイス ,  *GaN HEMT ,  *レベルシフター , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自動車 ,  応用 ,  バンドギャップ基準 ,  デュアル ,  レベルシフタ ,  GaN ,  HEMT