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J-GLOBAL ID：201902212721166002   整理番号：19A1467537

p型GaSb量子井戸におけるゲート調整可能な電子輸送【JST・京大機械翻訳】

Gate-tunable electronic transport in p-type GaSb quantum wells

著者 (9件)： Karalic Matija (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Mittag Christopher (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Hug Michael (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Tschirky Thomas (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Wegscheider Werner (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Ensslin Klaus (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Ihn Thomas (Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland) ,  Shibata Kenji (Tohoku Institute of Technology, Sendai 982-8577, Japan) ,  Winkler R. (Department of Physics, Northern Illinois University, DeKalb, Illinois 60115, USA)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 99  号： 11  ページ： 115435  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート可変同調デバイスを用いて,低温でのGaSb量子井戸における二次元正孔輸送を調べた。GaSbの価電子バンド構造を調べる測定により,スピン-軌道結合により誘起された基底サブバンドの顕著なスピン分裂が明らかになった。これらのスピン分裂サブバンドのキャリア密度,有効質量および量子散乱時間を特性化し,結果がバンド構造計算と一致することを見出した。さらに,ゼロ磁場付近に存在する伝導率に対する弱い反局在化補正を研究し,位相コヒーレンスに関する情報を得た。これらの結果は,二次元正孔物理学のプラットフォームとしてGaSb量子井戸を確立し,このシステムにおける将来の実験の基礎を築く。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  *量子井戸 ,  二次元 ,  磁場 ,  低温 ,  有効質量 ,  *アンチモン化ガリウム ,  価電子バンド ,  キャリア密度 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 反局在 ,  スピン分裂 ,  サブバンド ,  正孔輸送 ,  *電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaSb ,  量子井戸 ,  ゲート ,  電子輸送