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J-GLOBAL ID：201902212750945496   整理番号：19S0387993

Interface state density evaluation of p-type and n-type Ge/GeNx structures by conductance technique

著者 (5件)： Iwasaki, Takuro (Hirosaki University) ,  Ono, Toshiro (Hirosaki University) ,  Okamoto, Hiroshi (Hirosaki University) ,  Otani, Yohei (Tokyo University of Science) ,  Fukuda, Yukio (Tokyo University of Science)
資料名： Electronics and Communications in Japan
巻： 98  号： 6  ページ： 8-15  発行年： 2015年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 1942-9533 
発行国： アメリカ (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： Ge