文献

J-GLOBAL ID：201902212907216525   整理番号：19A1375434

AlN(0001)基板上におけるAlGaN薄膜の成長様式に関する理論的検討

著者 (5件)： 積木伸之介 (三重大 大学院) ,  PRADIPTO A.-M. (三重大 大学院) ,  秋山亨 (三重大 大学院) ,  中村浩次 (三重大 大学院) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.11a-PB4-6  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】近年、AlNおよびGaNの混晶半導体であるAlGaNは、ワイドバンドギャップ(3.4~6.2 eV)半導体であることから深紫外発光デバイスへの応用が期待されている。また、分子線エピタキシー法(MBE)を用いてAlN基板にAlGa...【本文一部表示】

シソーラス用語： *混晶半導体 ,  *窒化物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  窒化アルミニウム ,  バンドギャップ ,  ファセット ,  *島状構造 ,  *化学組成 ,  自由エネルギー ,  *原子間ポテンシャル ,  *不整合転位 ,  *膜厚 ,  表面エネルギー
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ ,  ミスフィット転位

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlN ,  AlGaN ,  薄膜 ,  成長 ,  様式 ,  理論