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J-GLOBAL ID：201902212937240442   整理番号：19A0464552

Algangan金属-絶縁体-半導体紫外光検出器のための超音波支援ミスト化学蒸着堆積MgO【JST・京大機械翻訳】

Ultrasonic Assisted Mist Chemical Vapor Deposition Deposited MgO for AlGaNGaN Metal-Insulator-Semiconductor Ultraviolet Photodetector

著者 (4件)： Liu Han-Yin (Department of Electronic Engineering, Feng Chia University, Taichung, Taiwan) ,  Lee Ching-Sung (Department of Electronic Engineering, Feng Chia University, Taichung, Taiwan) ,  Liu Guan-Jyun (Department of Electronic Engineering, Feng Chia University, Taichung, Taiwan) ,  Huang Ruei-Chin (Department of Electronic Engineering, Feng Chia University, Taichung, Taiwan)
資料名： IEEE Sensors Letters  (IEEE Sensors Letters)
巻： 1  号： 2  ページ： ROMBUNNO.3500404.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2476A  ISSN： 2475-1472  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,AlGaNGaN金属-絶縁体-半導体(MIS)紫外線検出器の絶縁層として10nmのMgO膜を堆積するために,超音波支援ミスト化学蒸着(UAM-CVD)技術を用いた。照明面積は0.47mm2と設計した。MgO膜の厚さを透過型電子顕微鏡(TEM)により確認した。屈折率,消光係数,光透過率のようなMgO膜の光学特性をエリプソメータとUVVISIR分光計により特性化した。MIS光検出器の暗電流は5.03pAであり,4.23nAのSchottky障壁光検出器よりはるかに低い。MIS光検出器はSchottky障壁光検出器に比べて高い内部光伝導利得を示した。したがって,MIS光検出器は0.44AW(360nm)の高い光応答性を有する。このような高い応答性はMIS光検出器を3.8310~12W(360nm)の低雑音等価パワーと1.79×10~10Jones(360nm)の高検出能を与える。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  エリプソメータ ,  *半導体 ,  *酸化マグネシウム ,  照明 ,  屈折率 ,  分光計 ,  暗電流 ,  キャラクタリゼーション ,  利得 ,  *超音波 ,  紫外検出器 ,  *光検出器 ,  *絶縁体 ,  *ミスト

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 絶縁体 ,  紫外光 ,  検出器 ,  超音波 ,  支援 ,  ミスト ,  化学蒸着 ,  堆積 ,  MgO