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J-GLOBAL ID：201902213066263003   整理番号：19A0720515

二重機能光トラッピング:シリコンヘテロ接合太陽電池のためのSiO_x/SiN_xスタックの選択めっきマスク【JST・京大機械翻訳】

Dual-Function Light-Trapping: Selective Plating Mask of SiO_x/SiN_x Stacks for Silicon Heterojunction Solar Cells

著者 (8件)： Yu Jian (Institute of Photovoltaics, Southwest Petroleum University, No. 8 Xindu Road, Chengdu, 610500, P. R. China) ,  Zhang Liping (Research Center for New Energy Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Chinese Academy of Sciences (CAS), No. 235 Chengbei Road, Shanghai, 201800, P. R. China) ,  Chen Tao (Institute of Photovoltaics, Southwest Petroleum University, No. 8 Xindu Road, Chengdu, 610500, P. R. China) ,  Bian Jiantao (Research Center for New Energy Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Chinese Academy of Sciences (CAS), No. 235 Chengbei Road, Shanghai, 201800, P. R. China) ,  Shi Jianhua (Research Center for New Energy Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Chinese Academy of Sciences (CAS), No. 235 Chengbei Road, Shanghai, 201800, P. R. China) ,  Meng Fanying (Research Center for New Energy Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Chinese Academy of Sciences (CAS), No. 235 Chengbei Road, Shanghai, 201800, P. R. China) ,  Huang Yuelong (Institute of Photovoltaics, Southwest Petroleum University, No. 8 Xindu Road, Chengdu, 610500, P. R. China) ,  Liu Zhengxin (Research Center for New Energy Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Chinese Academy of Sciences (CAS), No. 235 Chengbei Road, Shanghai, 201800, P. R. China)
資料名： Solar RRL  (Solar RRL)
巻： 3  号： 3  ページ： e1800261  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3682A  ISSN： 2367-198X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の生産コストの低減は,それらの大規模商業化に不可欠である。スクリーン印刷銀接触をめっき銅と置き換えることは効果的な方法である。しかし,セル性能を犠牲にすることなくプロセス適合性を処理する必要がある。本研究では,酸化ケイ素と窒化ケイ素(SiO_x/SiN_x)の層スタックを提案し,光トラッピングと選択的銅めっきマスクの二重機能を提供した。SiO_x/SiN_xスタックをタングステンドープ酸化インジウム(IWO)層上にプラズマ増強化学蒸着(PECVD)によって調製した。銀接触を有するSHJ太陽電池における最適化SiO_x/SiN_x/IWOスタックは,優れた反射防止特性と改良された外部量子効率をもたらす。1.16mAcm-2の短絡電流密度利得を,曲線因子の損失なしで達成した。このSiO_x/SiN_xスタックを,前面銅めっきプロセス用のその場堆積選択めっきマスクとして試験した。自家製光誘起めっき工具を用いた。スクリーン印刷銀フィンガーを銅めっきのためのシード層として適用した。Cu/Agフィンガーのバルク抵抗率は4.1E-6Ωcmに減少し,これは銅がその上にめっきされる前の低温銀ペースト(約6E-6Ωcm)のそれより低い。SiO_x/SiN_xスタックとプロセスの二重関数を証明し,良好な最適化後にSHJ太陽電池の光電特性をさらに改善するための良好な可能性を示した。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スクリーン印刷 ,  *ヘテロ接合 ,  窒化ケイ素 ,  *めっき ,  電気抵抗率 ,  銅 ,  酸化ケイ素 ,  銅めっき ,  低温 ,  *太陽電池 ,  プラズマCVD ,  銀 ,  最適化
準シソーラス用語： シード層 ,  外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 反射防止 ,  銅メタライゼーション ,  ヘテロ接合 ,  光誘起めっき(リップ) ,  めっきマスク

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光トラッピング ,  シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  スタック ,  めっき ,  マスク