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J-GLOBAL ID:201902213102342947   整理番号:19A0660440

WSe_2の構造と光学特性におけるCrドーパントと空格子点クラスタ化の間の相互作用【JST・京大機械翻訳】

Interplay Between Cr Dopants and Vacancy Clustering in the Structural and Optical Properties of WSe2
著者 (10件):
資料名:
巻: 11  号: 11  ページ: 11162-11168  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,WSe_2結晶へのCrドーピングの影響を解析した。ドープした試料のトポロジーと化学を電子エネルギー損失分光法と組み合わせた原子分解走査透過型電子顕微鏡により調べた。Cr(形式的原子価3+を持つと測定された)はWサイト(形式的原子価4+)を占め,可能な正孔ドーピングを示している。しかし,単一または二重Se空格子点はCr原子の近くにクラスタを形成し,効果的な電子ドーピングをもたらす。これらの欠陥組織は,密度汎関数理論計算によって得られたCr_W-V_se錯体の強い結合エネルギーによって説明できる。高Crドープ試料において,2Hから1T相への局所相転移が観測され,これは他の電子ドープ遷移金属ジカルコゲニドに対して以前に報告されている。Crドープ結晶は圧縮歪を受け,等方性格子収縮と異方性光学バンドギャップエネルギーシフト(25meV面内と80meV面外)をもたらした。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の格子欠陥  ,  トランジスタ  ,  固体デバイス製造技術一般 

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