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J-GLOBAL ID:201902213125839207   整理番号:19A0708648

9.5 80Gb/s 300GHz帯単一チップCMOSトランシーバ【JST・京大機械翻訳】

9.5 An 80Gb/s 300GHz-Band Single-Chip CMOS Transceiver
著者 (8件):
資料名:
巻: 2019  号: ISSCC  ページ: 170-172  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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2017年10月に発行されたIEEE規格802.15.3dは,252~325GHzの間の低THz周波数範囲を用いて,100Gb/sまでの高データレート無線物理層を定義する。300GHz帯が32の2.16GHz幅チャネル(図9.5.1)にチャネル化され,帯域幅が2.16GHzのすべての整数倍のより小さい数の広いチャネルにチャネル化されることを示した。本論文では,チャネル49~51および66~66(図9.5.1)を目標としたCMOSトランシーバ(TRX)チップを提案した。TRXは40nm CMOSプロセスを用いて作製した。300GHz帯[1]-[6]で動作する固体トランシーバ(TRXs)に関する報告がある。これらの[1]-[3]のいくつかは,TX/RXまたはブロックレベルのチップセットであり,TXとRXの設計と独立した最適化においてより柔軟性を享受することができる。それらは≧64Gb/sを達成することに成功した。一方,単一チップTRXs[4]-[6]は,常に達成可能なデータ速度を明らかにせず,直交振幅変調(QAM)をサポートすることができなかった。それにもかかわらず,完全に特性化されたシングルチップTRXsの最終的な開発は,特に,多くのTRXの展開を必要とするアプリケーションに対して望ましく,それは,802.15.3dによって暗黙的に想定される。ここで示した単一チップQAM能力CMOS TRXは,その方向における努力の結果である。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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