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J-GLOBAL ID：201902213198047088   整理番号：19A1559241

多層シリコンフォトニクスプラットフォームのための垂直結合a-Si:H多モード干渉導波路【JST・京大機械翻訳】

Vertically coupled a-Si:H multimode interference waveguides for multi-layer silicon photonics platform

著者 (7件)： Oo S. Z. (University of Southampton, School of Electronics and Computer Science, Highfield, Southampton, SO17 1 BJ, U. K.) ,  Tarazona A. (University of Southampton, Optoelectronics Research Centre, Highfield, Southampton, SO17 1 BJ, U. K.) ,  Petra R. (Universiti Teknologi Brunei, Faculty of Engineering, Brunei Darussalam, BE1410) ,  Khokhar A. Z. (University of Southampton, Optoelectronics Research Centre, Highfield, Southampton, SO17 1 BJ, U. K.) ,  Reed G.T. (University of Southampton, Optoelectronics Research Centre, Highfield, Southampton, SO17 1 BJ, U. K.) ,  Peacock A. C. (University of Southampton, Optoelectronics Research Centre, Highfield, Southampton, SO17 1 BJ, U. K.) ,  H. Chong H. M. (University of Southampton, School of Electronics and Computer Science, Highfield, Southampton, SO17 1 BJ, U. K.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CLEO  ページ： 1-2  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層フォトニック集積回路用の垂直MMI a:Si-H導波路の低温作製プロセスを実証した。測定したMMI損失は1.97dB/MMIであり,1550nm波長でのTE偏光の垂直光結合が達成された。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  *多層 ,  波長 ,  偏光 ,  *導波路 ,  光集積回路 ,  *多モード干渉
準シソーラス用語： 光結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 楽器音響  (BB03070Y) ,  音響信号処理  (BB03050C) ,  音声処理  (JE05000E) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多層 ,  シリコンフォトニクス ,  プラットフォーム ,  垂直 ,  Si ,  多モード干渉 ,  導波路