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J-GLOBAL ID：201902213224561453   整理番号：19A0511581

3.9GHzモックキャビティ内の二ほう化マグネシウムのハイブリッド物理化学蒸着【JST・京大機械翻訳】

Hybrid Physical Chemical Vapor Deposition of Magnesium Diboride Inside 3.9 GHz Mock Cavities

著者 (6件)： Lee Namhoon (Department of Physics, Temple University, Philadelphia, PA, USA) ,  Withanage Wenura K. (Department of Physics, Temple University, Philadelphia, PA, USA) ,  Tan Teng (Department of Physics, Temple University, Philadelphia, PA, USA) ,  Wolak Matthaeus A. (Department of Physics, Temple University, Philadelphia, PA, USA) ,  Nassiri Alireza (Argonne National Laboratory, Argonne, IL, USA) ,  Xi Xiaoxing (Department of Physics, Temple University, Philadelphia, PA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.3500304.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二ホウ化マグネシウム(MgB_2)は,他の従来の超伝導体と比較して,そのより高い臨界温度T_c(40K)と増加した過熱場(H_sh)のため,次世代超伝導無線周波数(SRF)空洞の候補と考えられる。これらの特性は,理論的研究に従って,BCS表面抵抗(R_BCS_s)と残留抵抗(R_res)を減少させ,加速場(E_ac)値を強化することができる。この目的のために設計されたハイブリッド物理蒸着(HPCVD)システムを用いて,MgB_2を用いて3.9GHz SRF空洞の内部表面を被覆する可能性を調べた。実際の3.9GHz SRF空洞をシミュレートするために,研究のためにステンレス鋼モックキャビティを用いた。膜の品質は空洞内の選択された位置に置かれた小さな基板上で特性化された。ステンレス鋼箔,ニオブ片およびSiC基板上のMgB_2膜は,SiC基板上に成長させた膜に対して観察されたc軸配向結晶性を有する30~38Kの範囲の転移温度を示した。18GHzにおける誘電共振器測定により,SiC基板上に成長させたMgB_2膜に対して,30000以上の品質因子が得られた。HPCVD技術を採用することにより,空洞内部に均一な膜を達成し,SRF空洞のMgB_2被覆に対するHPCVDの実現可能性を実証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超伝導 ,  ステンレス鋼 ,  品質 ,  転移温度 ,  キャラクタリゼーション ,  *化学蒸着 ,  共振器 ,  被覆 ,  残留抵抗 ,  過熱 ,  物理蒸着 ,  臨界温度
準シソーラス用語： 品質因子 ,  無線周波数 ,  *ホウ化マグネシウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  生体計測  (EL03020C)

タイトルに関連する用語 (3件)： ほう化マグネシウム ,  物理化学 ,  蒸着