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J-GLOBAL ID：201902213389850599   整理番号：19A0489346

印刷銀塩インクソース/ドレイン電極で作製した非晶質InGaZnO薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Amorphous InGaZnO Thin Film Transistor Fabricated with Printed Silver Salt Ink Source/Drain Electrodes

著者 (11件)： Yang Caigui (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Fang Zhiqiang (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Ning Honglong (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Tao Ruiqiang (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Chen Jianqiu (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Zhou Yicong (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Zheng Zeke (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Yao Rihui (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Wang Lei (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Peng Junbiao (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Song Yongsheng (Guangdong Fenghua Advanced Technology Holding Co., Ltd., Zhaoqing 526060, China)
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 7  号： 8  ページ： 844  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,インクジェット印刷銀ソース/ドレイン電極を有する非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド薄膜トランジスタ(a-IGZO TFT)は,特に大面積で柔軟なエレクトロニクス応用に対して大きな注目を集めている。銀インクは,銀ナノ粒子に基づくものと銀塩インクの2つのタイプに分けることができた。有機材料は,銀粒子の凝集を防ぐための強い分散安定剤としてのナノ粒子インクの処方において不可欠であるが,アニーリング後に銀電極とa-IGZO活性層の間に接触問題を導入する。著者らの実験は,安定剤成分なしで銀塩インクを用いることによりこの効果を低減することを目的とした。最適化されたインクジェット印刷条件で,a-IGZO TFTの高性能が4.28cm2/Vの移動度と106以上のオン/オフ電流比で得られた。結果は,直接印刷した銀電極を用いたa-IGZO TFTの著しい改善を実証した。本研究は将来の印刷電子応用のための有望なプラットフォームを提示した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  焼なまし ,  電流 ,  ナノ粒子 ,  *銀 ,  *非晶質 ,  *印刷 ,  *インク ,  安定剤 ,  電子技術 ,  有機材料 ,  インクジェット印刷
準シソーラス用語： 銀電極 ,  銀ナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： a-IGZO TFT ,  インクジェット印刷 ,  ソース/ドレイン電極 ,  銀塩インク

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (24件)：

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タイトルに関連する用語 (7件)： 銀塩 ,  インク ,  ソース ,  ドレイン ,  作製 ,  非晶質 ,  トランジスタ