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J-GLOBAL ID：201902213410116804   整理番号：19A2043325

物理蒸気輸送法により成長させた60mm AlN単結晶ウエハの特性評価【JST・京大機械翻訳】

Characterization of 60 mm AlN Single Crystal Wafers Grown by the Physical Vapor Transport Method

著者 (6件)： Wang Qikun (Ultratrend Technologies Inc., Hangzhou 310000, China) ,  Lei Dan (Ultratrend Technologies Inc., Hangzhou 310000, China) ,  He Guangdong (Ultratrend Technologies Inc., Hangzhou 310000, China) ,  Gong Jianchao (Ultratrend Technologies Inc., Hangzhou 310000, China) ,  Huang Jiali (Ultratrend Technologies Inc., Hangzhou 310000, China) ,  Wu Jason (Ultratrend Technologies Inc., Hangzhou 310000, China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 16  ページ： e1900118  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径60mmまでの無亀裂バルクAlN単結晶を,物理的蒸気輸送法による一連の固有の技術を用いて初めて成功裏に成長させた。単結晶は軸上(±0.2°)ウエハにスライスされ,通常のウエハ化標準に従ってラッピング/研磨される。得られたウエハをRaman分光法と高分解能X線回折(HRXRD)により特性化した。Ramanスペクトルは,2.85~2.87cm-1の半最大(FWHM)でE_2(高)全幅を示した。対称及び非対称HRXRDロッキング曲線は,それぞれ172~288及び103~242arcsecのFWHMを示した。光透過スペクトルは,全ウエハが,UV範囲4.43~4.77eV(260~280nm)において,14~21cm-1の吸収係数をもつ優れた紫外(UV)透明性を示すことを明らかにした。優先化学エッチングにより決定した平均エッチピット密度(EPD)は約2.3×10~5cm-2であった。発生ガス分析とグロー放電質量分析によって決定した主要不純物は,7.4×10~18cm~3(45ppmw)の炭素,1.2×10~19cm~3(100ppmw)の酸素,6.8×10~17cm~3(9.7ppmw)のケイ素であった。60mmウエハの使用可能面積は98%を超えた。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 対称性 ,  酸素 ,  ラッピング ,  エッチピット ,  不純物 ,  FWHM ,  亀裂 ,  *単結晶 ,  非対称性 ,  炭素 ,  吸収係数 ,  Ramanスペクトル ,  ロッキングカーブ ,  ケイ素 ,  *窒化アルミニウム

著者キーワード (5件)： III-V半導体基板 ,  窒化アルミニウム ,  発光ダイオード ,  物理蒸気輸送 ,  紫外線透明性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 物理 ,  蒸気 ,  輸送 ,  成長 ,  AlN ,  単結晶ウエハ ,  特性評価