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J-GLOBAL ID:201902213565287758   整理番号:19A2501825

不動態化層として極薄Al膜を用いたAlドープZnO多結晶膜の電気伝導率の改善とその熱安定性【JST・京大機械翻訳】

Improving electrical conductivity and its thermal stability of Al-doped ZnO polycrystalline films using ultrathin Al film as a passivation layer
著者 (3件):
資料名:
巻: 203  ページ: Null  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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アルミニウムドープZnO(AZO)は太陽電池の透明電極としての応用のための有望な材料と考えられてきた。この応用において,キャリア濃度の増加が近赤外波長での透過の減少をもたらすので,Hall移動度の改善が高い伝導率を達成するために望まれる。しかし,高Hall移動度の達成は依然として課題である。AZOに関連するもう一つの課題は電気的性質の低い熱安定性であり,AZOの応用を制限する。この限界はZnの脱着と環境からAZO膜への酸素の移動に起因する。AZO膜上に極薄Alキャッピング層を用いることにより,その熱安定性を大幅に改善できることを示した。400°CでのN_2ガス中でのアニーリング後,AlキャップAZO膜に対してHall移動度の改善が得られた。Hall移動度は49.1cm~2/Vに達し,AZO多結晶膜に対する移動度の理論的限界に近く,2.8×10~20cm-3の中程度のキャリア濃度をもち,可視および近赤外領域で高い透明度を確保した。得られた結果は,Al膜の自然酸化により形成されたAlO_x膜の不動態化効果に起因した。Zn脱着は抑制され,環境からのOの移動は減少し,熱安定性の改善をもたらした。Znの脱着が妨げられると,熱アニーリングによる結晶完全性の改善がHall移動度の改善に寄与する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 

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