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J-GLOBAL ID：201902213576416061   整理番号：19A1269082

パワーデバイス応用のためのシリコン結晶のバルク寿命に関連した欠陥挙動に関する密度汎関数理論研究【JST・京大機械翻訳】

Density Functional Theory Study on Defect Behavior Related to the Bulk Lifetime of Silicon Crystals for Power Device Application

著者 (3件)： Tsuchiya Daiki (Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan) ,  Sueoka Koji (Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan) ,  Yamamoto Hidekazu (Chiba Institute of Technology, 2-17-1 Tsudanuma, Narashino, Chiba 275-0016, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 216  号： 10  ページ： e1800615  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とPIN接合ダイオードの中で,再結合中心,すなわち,寿命制御欠陥を,電子ビーム照射によりリン(P)ドープn型シリコン(Si)結晶に導入するデバイスがある。寿命制御欠陥は空孔-空格子点(V-V)対と空孔-リン(V-P)対のような深い準位を形成すると考えられる。Czochralski Siウエハを用いた場合,いくつかの炭素(C),酸素(O),およびそれらの錯体は,寿命制御欠陥に対して負の影響を持つと考えられる。本研究では,密度汎関数理論(DFT)計算を行い,寿命制御欠陥の形成挙動を理解し,CとO原子から成る錯体の形成挙動を,寿命制御欠陥と相互作用すると信じた。これらの結果に基づいて,寿命制御欠陥の構造変化に関連するDFT計算を行った。最も重要な結果は,格子間炭素置換炭素(C_i-C_s)対の代わりに,格子間C_i原子と格子間炭素格子間酸素(C_i-O_i)対が,寿命制御欠陥から成るVと相互作用することにより,寿命の制御性に影響する強い候補である。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空格子点 ,  再結合中心 ,  ダイオード ,  可制御性 ,  IGBT ,  深い準位 ,  電子照射 ,  PIN接合 ,  *密度汎関数法 ,  相互作用 ,  錯体 ,  構造変化 ,  酸素原子 ,  *結晶性シリコン
準シソーラス用語： *結晶シリコン ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 密度汎関数理論 ,  寿命制御欠陥 ,  パワーデバイス ,  シリコン結晶

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： パワーデバイス ,  応用 ,  シリコン結晶 ,  バルク ,  寿命 ,  欠陥 ,  挙動 ,  密度汎関数理論 ,  研究