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J-GLOBAL ID：201902213809706734   整理番号：19A0514865

III族窒化物ベース高速フォトダイオードの動的特性評価【JST・京大機械翻訳】

Dynamic Characterization of III-Nitride-Based High-Speed Photodiodes

著者 (7件)： Alshehri Bandar (Institute of Electronics, Microelectronics & Nanotechnology, Optoelectronics Group (IEMN CNRS UMR 8520), Villeneuve d’ascq, France) ,  Dogheche Karim (Institute of Electronics, Microelectronics & Nanotechnology, Optoelectronics Group (IEMN CNRS UMR 8520), Villeneuve d’ascq, France) ,  Belahsene Sofiane (C2N, Centre for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS, Route de Nozay, Marcoussis, France) ,  Ramdane Abderrahim (C2N, Centre for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS, Route de Nozay, Marcoussis, France) ,  Patriarche Gilles (C2N, Centre for Nanoscience and Nanotechnology, CNRS, Route de Nozay, Marcoussis, France) ,  Decoster Didier (Institute of Electronics, Microelectronics & Nanotechnology, Optoelectronics Group (IEMN CNRS UMR 8520), Villeneuve d’ascq, France) ,  Dogheche Elhadj (Institute of Electronics, Microelectronics & Nanotechnology, Optoelectronics Group (IEMN CNRS UMR 8520), Villeneuve d’ascq, France)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 9  号： 4  ページ： ROMBUNNO.6803107.1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の目的は,金属-有機化学蒸着により堆積したIn_xGa_1-xN/GaN合金に基づく高速PINフォトダイオードを研究し,設計し,開発することである。PINフォトダイオードに使用される構成は,In_0.1Ga_0.9N多重量子井戸から成る吸収層に基づいている。TEM,PLおよび吸収測定を用いて,構造的,微細構造的および光学的解析を行った。PIN構造の設計は,10~4~10~6μm~2の範囲の活性表面で変化した。静的および動的特性化を行い,フォトダイオード応答を評価した。最大1.2mAに達する光電流値を100×100μm~2面積のダイオードに対して報告し,外部量子効率は13%であった。雑音測定技術を用いて,素子は同じフォトダイオードに対して300MHzの3dB遮断周波数を明らかにした。この結果は,高速オプトエレクトロニクスをターゲットとするためのIII-窒化物材料の可能性を明確に示している。将来の展望は,同じ材料システムを用いて,紫外可視領域における光透過リンクを達成するために,InGaNベースのマイクロフォトダイオードに向けて研究することである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  合金 ,  オプトエレクトロニクス ,  *高速度 ,  多重量子井戸 ,  *フォトダイオード ,  光電流 ,  *ダイオード ,  光透過 ,  遮断周波数 ,  微細構造 ,  *窒化物
準シソーラス用語： InGaN ,  可視領域 ,  外部量子効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  生体計測  (EL03020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： III族 ,  窒化物 ,  フォトダイオード ,  動的特性 ,  評価