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J-GLOBAL ID：201902213912392860   整理番号：19A0034906

GaN HEMT用の超高速離散短絡保護回路【JST・京大機械翻訳】

An Ultrafast Discrete Short-Circuit Protection Circuit for GaN HEMTs

著者 (3件)： Hou Ruoyu (GaN Systems Inc., Ottawa, Canada) ,  Lu Juncheng (GaN Systems Inc., Ottawa, Canada) ,  Chen Di (GaN Systems Inc., Ottawa, Canada)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ECCE  ページ： 1920-1925  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウム窒化物増強モード高電子移動度トランジスタ(GaN E-HEMT)は,高速スイッチング能力のために電力電子システムに設計されている。GaNベースのコンバータは,システムの観点から,より高い効率,より小さいサイズ,およびより低いコストを得る。一方,GaNの高速スイッチング特性も短絡保護(SCP)と過電流保護(OCP)の課題を紹介した。従来のSCP/OCP法は,GaN素子に対してあまりにも遅いか,あるいは実用的ではない。従って,GaN HEMTに対しては,高速で実装が容易な代替SCP/OCP溶液が望まれる。本論文では,GaN HEMTのためのSCPの超高速離散回路を提案した。保護方法は,2つの段階を含んだ。第一段階はソフトターンオフで,第二段階はハードターンオフである。ソフトターンオフはゲート電圧を徐々に低減し,DCリンク上の電圧スパイクを制限する。この方法をSPICEシミュレーションとハードウェア実装の両方によって検証した。実装結果は,第一段階と第二段階の伝搬遅延時間がそれぞれ85nsと125nsであることを示した。結果として,提案した回路は,異なるDCリンク電圧の下で,短絡シナリオのためにGaN HEMTを保護することができた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *高速度 ,  窒化ガリウム ,  スイッチング ,  電力 ,  直流リンク ,  電子装置 ,  ターンオフ ,  変換器 ,  電圧
準シソーラス用語： *短絡保護 ,  スイッチング特性 ,  *保護回路 ,  *超高速 ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  HEMT ,  短絡 ,  保護回路