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J-GLOBAL ID：201902214103466267   整理番号：19A1647652

n型PbTe系化合物における荷電不純物欠陥クラスタ形成と熱電特性によるFermi準位の微調整【JST・京大機械翻訳】

Fine tuning of Fermi level by charged impurity-defect cluster formation and thermoelectric properties in n-type PbTe-based compounds

著者 (7件)： Lee Min Ho (Department of Applied Sciences and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yongin 17104, Korea. [e-mail]) ,  Park Sungjin ,  Lee Jae Ki ,  Chung Jaywan ,  Ryu Byungki ,  Park Su-Dong ,  Rhyee Jong-Soo
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 7  号： 27  ページ： 16488-16500  発行年： 2019年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型PbTe化合物の熱電(TE)性能の増強には著しい発展があった。しかし,n型化合物のTE性能はp型化合物のそれと同等ではなかった。高性能を最適化するためには,有効Fermi準位同調が重要である。ここでは,外因性ドーピングが複雑な欠陥配置を引き起こし,従来の格子動力学と異常な電子/熱輸送特性をもたらすことを見出した。生成エネルギー計算から,過剰Pbを有するPbTe化合物の格子定数の増加は,格子間化合物(Pb_intとTe_int),Pb-Teアンチサイト欠陥,およびクラスタ型欠陥[(Pb_Te-Te_Pb),(Pb-Pb)_Te,(Te-Te)_Pb,および(Pb_int-2Pb_Te)]の形成と相関した。過剰PbとBiドーピングのような外因性n型ドーピングを適用したとき,対応する正孔ドーピング型複合欠陥が容易に発生した。V_Te2+およびPb_int2+点欠陥のような固有欠陥およびPb_int-2(Pb_Te)のようなクラスタ型アニオン欠陥による電荷補償効果は,Pb_1+xTe中の過剰Pb濃度に関して,従来の電気輸送挙動をもたらした。Pb_1-xBi_xTeにおけるBiドーピングは,同時に,NBI_Pb-V_Pb(n=2および3)のような複雑なクラスタ型欠陥を引き起こした。複雑なクラスタ型欠陥はドーピング効率を抑制するだけでなく,Seebeck係数の散乱指数を増加させ,Seebeck係数の増強をもたらした。荷電不純物と欠陥クラスタドーピングの間の電荷補償は,最適キャリア濃度に対するFermi準位の微調整に有益であった。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 点欠陥 ,  ドーピング ,  *Fermi準位 ,  格子定数 ,  不純物補償 ,  アニオン ,  *クラスタ ,  ビスマス ,  複合欠陥 ,  キャリア密度 ,  散乱 ,  *テルル化鉛
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  アンチサイト欠陥 ,  *微調整 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： PbTe ,  荷電不純物 ,  欠陥クラスタ ,  熱電特性 ,  Fermi準位 ,  微調整