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J-GLOBAL ID：201902214123867573   整理番号：19A1063415

キャリア再結合により誘起されたSi上の(In)AlGaAsにおける貫通転位の滑り:特性,緩和,およびフィルタリング【JST・京大機械翻訳】

Glide of threading dislocations in (In)AlGaAs on Si induced by carrier recombination: Characteristics, mitigation, and filtering

著者 (3件)： Hughes Eamonn T. (Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  Shah Rushabh D. (Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Mukherjee Kunal (Materials Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 125  号： 16  ページ： 165702-165702-9  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上にエピタキシャル成長させたIII-Vオプトエレクトロニクスは,デバイス層と基板の間の格子定数の不整合により,転位の大きなネットワークを有している。再結合強化転位滑り(REDG)により,これらの転位がデバイス動作中の長さの移動と増加を可能にし,性能を低下させる。本論文では,走査電子顕微鏡法を用いてSi基板上に成長させた(In)AlGaAs二重ヘテロ構造における貫通転位のREDG動力学を研究した。REDGの駆動力はSiとIII-V層の間の熱膨張差の係数により生じ,膜中に大きな残留歪をもたらす。移動する暗点欠陥としての貫通転位の追跡は転位の性質に基づいて変化する滑り特性を明らかにする。著しいことに,変成構造を用いたインジウムの数原子パーセントの合金化は,貫通転位すべりを2桁以上も超える。最後に,選択領域における貫通転位密度を低減する経路としてREDGに基づくフィルタリングを提示し,移動転位の大きな割合を除去した。これらの技術により,デバイス動作中に今までのところ理解できなかった転位-転位とキャリア-転位相互作用の理解が可能になり,シリコン上に信頼できるIII-V集積オプトエレクトロニクスをもたらした。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  基板 ,  *ケイ素 ,  *インジウム ,  ネットワーク ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *キャリア再結合 ,  *フィルタリング ,  *貫通転位 ,  不整合 ,  格子定数 ,  *再結合 ,  合金化 ,  残留歪
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： キャリア再結合 ,  誘起 ,  Si ,  AlGaAs ,  貫通転位 ,  滑り ,  緩和 ,  フィルタリング