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J-GLOBAL ID：201902214258031265   整理番号：19A0513164

近および中赤外レーザダイオード用のIII-Vビスマス合金に向けた進歩【JST・京大機械翻訳】

Progress Toward III-V Bismide Alloys for Near- and Midinfrared Laser Diodes

著者 (2件)： Marko Igor P. (Advanced Technology Institute and the Department of Physics, University of Surrey, Guildford, U.K) ,  Sweeney Stephen J. (Advanced Technology Institute and the Department of Physics, University of Surrey, Guildford, U.K)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 6  ページ： ROMBUNNO.1501512.1-12  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ビスマス含有III-V合金は,半導体レーザ,光起電力,スピントロニクス,フォトダイオード,および熱電における実用化の可能性の範囲を開く。半導体レーザの開発のための特に有望なことは,1.55μmのテレコム波長周辺で動作する素子の活性領域において,スピン軌道分裂エネルギー(Δ_SO)がバンドギャップ(E_g)より大きいようなGaAsBiレーザ構造を成長させる可能性があり,これにより,Auger再結合と原子価間バンド吸収が抑制される。Δ_SO>E_gバンド構造は,>10%Biを含むGaAsBi合金中に存在し,その組成では,合金バンドギャップはGaAs基板上で1.55μmに近く,それらは電気通信用の高効率,非冷却GaAsベースレーザの開発のための魅力的な候補材料システムである。ここでは,この目的に向けての進歩を議論し,光学利得と吸収特性を含むGaAsBiレーザの特性と,そのような系における主要なキャリア再結合過程に関する包括的なデータセットを示した。最後に,GaAs及びInPプラットフォーム上の近赤外及び中赤外フォトニック素子に対するGaAsBiN及びInGaAsBi材料系の可能性を簡単にレビューした。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ビスマス ,  *赤外線 ,  波長 ,  キャリア再結合 ,  光起電力 ,  半導体レーザ ,  スピントロニクス ,  ヒ化ガリウム ,  *レーザ ,  リン化インジウム ,  フォトダイオード ,  *合金 ,  近赤外線 ,  バンドギャップ ,  原子価

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 中赤外レーザ ,  ダイオード ,  ビスマス合金