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J-GLOBAL ID：201902214261060736   整理番号：19A0877030

成長条件で石英ガラス基板上に成長させたGaNベースのnanopillar型結晶の構造依存性【JST・京大機械翻訳】

Structure dependence of GaN-based nanopillar-shaped crystals grown on a quartz glass substrate on their growth conditions

著者 (3件)： Sato Y. (Electrical and Electronic Engineering Course, Graduate School of Engineering Science, Akita University, Akita, Japan) ,  Fujiwara A. (Electrical and Electronic Engineering Course, Graduate School of Engineering Science, Akita University, Akita, Japan) ,  Shimomura K. (Electrical and Electronic Engineering Course, Graduate School of Engineering Science, Akita University, Akita, Japan)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 125  号： 2  ページ： 1-6  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシー装置を用いて石英ガラス基板上に窒化ガリウム系半導体のナノ毛細管型結晶を成長させた。2組の高周波プラズマ支援活性窒素源を同時に操作し,ほとんど同じ量のインジウムとガリウムを成長中に供給した。ナノ毛細管型結晶の構造に及ぼすそれらの成長条件,すなわち,インジウム供給量,窒素ガスの流量,および成長温度の影響を研究した。Copyright 2019 Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ガリウム ,  *結晶 ,  *基板 ,  MBE成長 ,  インジウム ,  流量 ,  *窒化ガリウム ,  半導体 ,  *石英ガラス
準シソーラス用語： 窒素ガス ,  窒素源 ,  RFプラズマ ,  *構造依存性 ,  *成長条件 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長条件 ,  石英 ,  ガラス基板 ,  成長 ,  GaN ,  結晶 ,  構造依存性