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J-GLOBAL ID：201902214264865282   整理番号：19A2098287

薄いタンタル箔の微細構造と電気的性質に及ぼす酸化イッテルビウム堆積の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of ytterbium oxide deposition on microstructural and electrical properties of thin tantalum foil

著者 (4件)： Puri Nidhi (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, New Delhi 110007, India) ,  Rohilla Aman (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, New Delhi 110007, India) ,  Chamoli S.K. (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, New Delhi 110007, India) ,  Mahapatro Ajit K. (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, New Delhi 110007, India)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 253  ページ： 67-70  発行年： 2019年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 機械的に圧延したタンタル(MRTA)薄膜の材料と電気的性質の改良におけるイッテルビウム酸化物(~174Yb_2O_3)蒸着の効果を,電子顕微鏡,結晶学,元素分析,および電流-電圧(I-V)特性を通して研究した。約2.1μm厚のMRTA箔(Yb_2O_3/Ta)上の約174Yb_2O_3の0.82μm厚層は表面特徴の寸法を減少させ,ナノ粒子の形成を示した。電子ビームイメージング,エネルギー分散X線(EDX),およびX線回折(XRD)分析により,MRTA表面上に均一に分布したYb_2O_3の形成および新しく形成されたYb_2O_3/MRTA薄膜の酸化に対する化学的不活性を明らかにした。銀(Ag)上部接触電極を用いて試験したMRTA箔とYb_2O_3/MRTA薄膜の室温I-V特性はオーム伝導を示し,MRTA箔上のYb_2O_3薄膜蒸着後の電気伝導率の9%の全体的増強を実証した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子顕微鏡 ,  薄膜成長 ,  蒸着 ,  電圧 ,  電子ビーム ,  *電気的性質 ,  圧延 ,  *微細構造 ,  画像処理 ,  X線 ,  ナノ粒子 ,  X線回折 ,  電気伝導率 ,  *タンタル ,  薄膜 ,  電流

著者キーワード (5件)： 機械的圧延薄箔 ,  174Yb_2O_3 ,  ナノ粒子 ,  電気的性質 ,  オーム伝導

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： タンタル ,  箔 ,  微細構造 ,  電気的性質 ,  酸化イッテルビウム ,  堆積