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J-GLOBAL ID：201902214341024632   整理番号：19A2620207

K₂S₂O₈/H₃PO₄混合溶液を用いたn-GaNのコンタクトレスエッチング

著者 (7件)： 渡久地政周 (北大 量集セ) ,  三輪和希 (北大 量集セ) ,  堀切文正 (サイオクス) ,  福原昇 (サイオクス) ,  成田好伸 (サイオクス) ,  吉田丈洋 (サイオクス) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21a-E301-3  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに 光電気化学(PEC)エッチングは、電解液中における半導体表面の光電気化学酸化と酸化被膜の溶解を制御してエッチングを進行させる手法である。これまでに我々は、PECエッチングがGaN系材料の低損傷加工プロセスとして有望であることを...【本文一部表示】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  混合液体 ,  硫酸カリウム ,  リン酸 ,  N型半導体 ,  *ウェットエッチング ,  MOCVD ,  フォトレジスト ,  紫外線照射 ,  電解液 ,  半導体プロセス ,  表面粗さ ,  光電気化学 ,  酸化膜
準シソーラス用語： ポジ型フォトレジスト

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： H3PO4 ,  混合溶液 ,  GaN