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J-GLOBAL ID：201902214374300594   整理番号：19A1943360

半絶縁性6H-SiCにおける窒素イオン注入の効果とRaman散乱により調べた再結晶【JST・京大機械翻訳】

Effect of nitrogen ion implantation in semi insulating 6H-SiC and recrystallization probed by Raman scattering

著者 (5件)： Kamalakkannan K. (Department of Nuclear Physics, University of Madras, Guindy Campus, Chennai 600025, India) ,  Rajaraman R. (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India) ,  Sundaravel B. (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India) ,  Amarendra G. (Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam 603102, India) ,  Sivaji K. (Department of Nuclear Physics, University of Madras, Guindy Campus, Chennai 600025, India)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 457  ページ： 24-29  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Raman分光法により,表面から5μmまでの半絶縁性6H-SiCにおける低エネルギー窒素イオン注入誘起挙動と再結晶化を調べた。真空アニーリングにおけるSiC結合破壊と再結晶化に関連する欠陥蓄積の性質を,A_1(LO)フォノンモードから解析し,表面からの連続深さで調べた。注入されたままの試料の非対称A_1(LO)ピークの変化を,アニーリングにより秩序化し,モードを回復させた。A_1(LO)モードのピーク強度変化は,不規則蓄積を示した。同定された損傷深さは,Matter(SRIM)におけるイオンのStoppingとRangeと良く一致した。Si-Si,変形-Si-C,C-C振動および結晶-SiCの変化を用いて,注入およびアニールした試料の欠陥の役割を説明した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman分光法 ,  非対称性 ,  焼なまし ,  *炭化ケイ素 ,  *再結晶 ,  *窒素 ,  *イオン注入 ,  アモルファス化 ,  *イオン ,  *Raman散乱 ,  *結晶
準シソーラス用語： ピーク強度 ,  フォノンモード ,  *半絶縁性 ,  *6H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 炭化ケイ素 ,  イオン注入 ,  非晶質化 ,  深さプロファイリング ,  Raman分光法

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 半絶縁性 ,  6H-SiC ,  窒素イオン ,  注入 ,  Raman散乱 ,  再結晶