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J-GLOBAL ID:201902214500808592   整理番号:19A1555194

40nm CMOS技術における192×128時間相関SPADイメージセンサ【JST・京大機械翻訳】

A $192¥times128$ Time Correlated SPAD Image Sensor in 40-nm CMOS Technology
著者 (10件):
資料名:
巻: 54  号:ページ: 1907-1916  発行年: 2019年 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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192×128画素単一光子アバランシェダイオード(SPAD)時間分解単一光子計数(TCSPC)画像センサを,STMicroエレクトロニクス 40nm CMOS技術に実装した。13%充填因子,18.4μm×9.2μm画素は,0.9-LSB微分と5.64-LSB積分非線形性(DNL/INL)を有する33ps分解能,135ns全スケール,12ビット時間-ディジタル変換器(TDC)を含んだ。このセンサは,平均219psの全幅半最大(FWHM)インパルス応答関数(IRF)を達成し,64並列化直列出力を通して18.6kフレーム/sまで動作可能である。濃度因子3.25を有する円筒マイクロレンズは,充填因子を42%に増加させた。中間暗計数率(DCR)は1.5V過剰バイアスで25Hzである。撮像装置の柱に統合されたディジタル較正方式により,オフチップのディジタルプロセス,電圧,および温度(PVT)の各フレームの補償が可能になる。蛍光寿命イメージング顕微鏡(FLIM)の結果を示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
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