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J-GLOBAL ID：201902214529387305   整理番号：19A1912667

コンパクトなビスマス系薄膜を堆積するための溶媒工学法 機構と光起電力への応用【JST・京大機械翻訳】

Solvent-Engineering Method to Deposit Compact Bismuth-Based Thin Films: Mechanism and Application to Photovoltaics

著者 (8件)： Shin Seong Sik (Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts, United States) ,  Correa Baena Juan Pablo (Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts, United States) ,  Kurchin Rachel C. (Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts, United States) ,  Polizzotti Alex (Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts, United States) ,  Yoo Jason Jungwan (Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts, United States) ,  Wieghold Sarah (Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts, United States) ,  Bawendi Moungi G. (Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts, United States) ,  Buonassisi Tonio (Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts, United States)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 30  号： 2  ページ： 336-343  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ビスマス系材料を,光起電力応用のための鉛ベースのペロブスカイト材料の代替として研究した。しかし,膜品質の悪さはデバイス性能が限られている。本研究では,溶媒工学法を開発し,それがいくつかのビスマス系化合物に適用できることを示した。この方法により,ヨウ化メチルアンモニウム(MBI),ヨウ化セシウム(CBI),及びホルムアミニウムビスマス(FBI)のコンパクトな膜を得た。膜成長理論と実験解析に基づいて,膜形成の可能な機構を提案した。さらに,得られたコンパクトなMBI膜はピンホールを持つベースラインMBI膜に比べて効率的で安定な光起電力素子の作製により適していることを実証した。さらに,新しい正孔輸送材料を用いて,MBIによる価電子帯オフセットを低減した。最良性能の光起電力素子は0.85Vの開回路電圧,73%の充填率,および0.71%の電力変換効率を示し,MBIベースの光起電力素子に対して最高の報告値を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光起電素子 ,  薄膜成長 ,  オフセット ,  ピンホール ,  ヨウ化セシウム ,  *光起電力 ,  *薄膜 ,  価電子バンド ,  品質 ,  アンモニウムイオン ,  *ビスマス ,  鉛
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  開回路電圧 ,  正孔輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： ビスマス ,  薄膜 ,  堆積 ,  溶媒 ,  工学 ,  光起電力 ,  応用