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J-GLOBAL ID：201902214607509892   整理番号：19A2560003

LaVO_3/Pb(Zr_0.2Ti_0.8)O_3ペロブスカイト型ヘテロ構造における増強された光起電力効率と持続光応答スイッチ可能性【JST・京大機械翻訳】

Enhanced photovoltaic efficiency and persisted photoresponse switchability in LaVO₃/Pb(Zr_0.2Ti_0.8)O₃ perovskite heterostructures

著者 (15件)： Cheng Shengliang (Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China. [e-mail]) ,  Fan Zhen ,  Zhao Lei ,  Guo Haizhong ,  Zheng Dongfeng ,  Chen Zoufei ,  Guo Min ,  Jiang Yue ,  Wu Sujuan ,  Zhang Zhang ,  Gao Jinwei ,  Lu Xubing ,  Zhou Guofu ,  Gao Xingsen ,  Liu Jun-Ming
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 7  号： 40  ページ： 12482-12490  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光応答スイッチ性を犠牲にすることなく電力変換効率(PCE)を増強することは強誘電体光起電力にとって困難である。ここでは,狭ギャップ半導体LaVO_3(LVO)と強誘電体Pb(Zr_0.2Ti_0.8)O_3(PZT)から成るペロブスカイト型ヘテロ構造において,増強PCEと良好な光応答スイッチング性を同時に達成できることを実証した。LVO(24nm)/PZT(120nm)に基づく素子はPZTのみに基づく素子と比較してPCEの約5倍の増強を示し,これはLVO層からの吸収増強とLVO/PZT界面での内蔵場に起因し,光生成e-h対の分離を容易にした。さらに,LVO/PZTベースのデバイスのスイッチされた光起電力は1V以上であり,PZTのみに基づくデバイスのそれと同じ大きさである。この持続的な光応答スイッチ性は,LVO厚さが24nm未満の時に,LVO/PZTベースのデバイスで完全にスイッチできるので,得られる。したがって,著者らの発見は,高効率で高度にスイッチ可能な強誘電体光起電力デバイスの開発のための有望なルートを提供する。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光起電素子 ,  *光起電力 ,  界面 ,  *スイッチ ,  光生成 ,  半導体 ,  強誘電体 ,  スイッチング
準シソーラス用語： 高効率 ,  内蔵 ,  電力変換効率 ,  *光応答 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  錯体のルミネセンス  (BM08095R) ,  その他の高分子材料  (YH07150C)

タイトルに関連する用語 (7件)： Pb ,  ペロブスカイト ,  ヘテロ構造 ,  増強 ,  光起電力 ,  光応答 ,  可能性