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J-GLOBAL ID：201902214702892832   整理番号：19A1144017

理論的XANESで検出したCH_3NH_3PbI_3/ZnOとCH_3NH_3PbI_3/GaN界面における脱プロトンと空格子点【JST・京大機械翻訳】

Deprotonation and vacancies at the CH₃NH₃PbI₃/ZnO and CH₃NH₃PbI₃/GaN interfaces, detected in their theoretical XANES

著者 (1件)： Wierzbowska Malgorzata (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland. [e-mail])
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 7  号： 18  ページ： 5307-5313  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MAPbI_3(MA=メチルアンモニウム,CH_3NH_3)ペロブスカイト太陽電池は効率的であるが,安定ではない。この事実に対するいくつかの理由は,界面効果,不飽和結合および欠陥に由来する。4種類の欠陥を研究した。(i)脱水素化MA(CH_3NH_2),(ii)MA空格子点,(iii)ハロゲン化物空格子点,(iv)ZnまたはGa空格子点。X線吸収端近傍分光法(XANES)は,特定の原子構造に対する計算的にシミュレートされたスペクトルと組み合わせたとき,界面特性化のための敏感なツールである。本研究では,MAPbI_3のMA NコアK端のシミュレーションXANESが,ZnOとGaNウルツ鉱結晶との種々の欠陥界面で異なることを示した。半導体の二つの極性配向,(0001)と(000-1)を選択し,両方の表面を金属原子で終端した。各欠陥はそれらのXANESにおける独特の指紋の背後にある。スペクトルの最も顕著な変化は,水分によるペロブスカイト分解の生成物である脱プロトン化MAによって引き起こされる。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *界面 ,  *脱プロトン ,  *空格子点 ,  *ガリウム ,  脱水素 ,  計算 ,  半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *XANES ,  *酸化亜鉛 ,  水分 ,  極性 ,  結晶 ,  原子構造

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  脂肪族アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  (CF03070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 理論 ,  XANES ,  ZnO ,  GaN ,  界面 ,  脱プロトン ,  空格子点