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J-GLOBAL ID:201902214746223688   整理番号:19A0162993

マイクロLED 日本発の次世代ディスプレイの実現へ スパッタリングによるフレキシブルマイクロLEDディスプレイの可能性

著者 (3件):
資料名:
号: 445  ページ: 34-37  発行年: 2019年01月10日 
JST資料番号: Y0019A  ISSN: 0286-9659  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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・スパッタリング法による高品質III族窒化物半導体の形成とデバイス応用について従来手法のMOCVD法との比較による解説。
・ディスプレイ用基板として一般的な低価格なガラス基板を用いた3原色LEDの可能性についての展望の説明。
・フレキシブル基板であるポリマー上に作製した薄膜トランジスタや金属フォイル上の3原色LEDの作製技術について解説。
・PSD(パルススパッタリング蒸着)法の低温結晶成長法技術により作製したIII族窒化物デバイスの事例として,最高プロセス温度480°Cで作製のInGaNLEDの発光の様子の紹介。
・二次元層状物質である多層グラフェン膜のバッファ層として利用することによるGaN薄膜の結晶性の改善の試みの実施。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (3件):
分類
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発光素子  ,  薄膜成長技術・装置  ,  表示機器 

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