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J-GLOBAL ID：201902214818130696   整理番号：19A2034045

Ce4+ドープSrZrO_3セラミックの熱力学的および光電子的性質の理論的研究:DFT研究【JST・京大機械翻訳】

Theoretical investigation of thermodynamic and optoelectronic properties of Ce⁴⁺ doped SrZrO₃ ceramics: A DFT study

著者 (5件)： Alay-e-Abbas Syed Muhammad (Computational Materials Modeling Laboratory, Department of Physics, Government College University Faisalabad, 38040, Faisalabad, Pakistan) ,  Yousaf Muhammad Waqar (Computational Materials Modeling Laboratory, Department of Physics, Government College University Faisalabad, 38040, Faisalabad, Pakistan) ,  Abbas Ghulam (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at the Microscale, University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, China) ,  Amin Nasir (Computational Materials Modeling Laboratory, Department of Physics, Government College University Faisalabad, 38040, Faisalabad, Pakistan) ,  Laref Amel (Department of Physics and Astronomy, College of Science, King Saud University, Riyadh, 11451, Saudi Arabia)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 45  号： 15  ページ： 18281-18290  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SrZr_1-xCe_xO_3(x=0,0.037および0.125)セラミックの熱力学的,構造的,電子的および光学的性質に関する理論的洞察を,光触媒としてのそれらの潜在的応用を予測するためのDFT計算を用いて提示した。SrZrO_3のZrサイトにおけるCe4+ドーパントの安定な取り込みを,置換ドーピングに含まれる化学種の原子化学ポテンシャルの妥当な限界を用いて,形成のエンタルピーと欠陥形成エネルギーの観点から調べた。著者らの結果は,SrZrO_3格子の膨張とセリウムドーピング濃度の増加に伴うバンドギャップの減少を示す。セリウムドーピング濃度がx=0.037からx=0.125に増加すると,Femi準位より上の非占有Ce-4f状態の異なる性質のために,SrZr_1-xCe_xO_3セラミックの電子的および光学的性質に有意差が観察された。著者らのDFT計算におけるスピン-軌道結合の包含は,高濃度ドーピングに対してFermi準位以上の非占有Ce-4f状態の分裂を引き起こすことが分かった。セリウムドーピング濃度の増加に伴うSrZr_1-xCe_xO_3セラミックの構造的および電子的性質において観察された傾向は,スピン-軌道結合を含まない場合と含まない場合の計算に対して定性的に類似していることが分かった。SrZrO_3の近紫外吸収は,x=0.037以上のセリウムドーピング濃度の増加によりかなり増強されることを示した。Ce4+ドープSrZrO3ポテンシャル不均一光触媒を作製した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *熱力学 ,  化学ポテンシャル ,  ドーパント ,  光触媒 ,  エンタルピー ,  近紫外線 ,  密度汎関数法 ,  *ドーピング ,  化学種 ,  *セラミック ,  バンドギャップ ,  光学的性質 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： L-S結合 ,  欠陥形成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ペロブスカイト酸化物セラミックス ,  置換ドーピング ,  熱力学 ,  電子構造 ,  光学的性質

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドープ ,  セラミック ,  熱力学 ,  光電子 ,  性質 ,  理論 ,  研究 ,  DFT