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J-GLOBAL ID:201902214967187292   整理番号:19A2743888

n型太陽級ウエハ上のポリシリコン不動態化コンタクトを有する22.6%効率太陽電池【JST・京大機械翻訳】

22.6% Efficient Solar Cells with Polysilicon Passivating Contacts on n-type Solar-Grade Wafers
著者 (10件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: e1900297  発行年: 2019年 
JST資料番号: W3682A  ISSN: 2367-198X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Czochralski(Cz)で成長させた改良冶金グレード(UMG)シリコンウエハは,高温プロセス中に著しく劣化し,従来の電子級シリコンウエハの低コスト代替として魅力的である。しかし,UMGウエハにおける熱劣化は,予備作製アニーリングステップを利用することにより遅延させることができる。これに基づいて,高効率太陽電池プロセスを,単一ホウ素拡散ステップを選択し,熱収支を最小化するために優れた不純物ゲッタリング特性を持つ電子選択接触としてリンドープ多結晶膜を適用することにより改良した。この改良した高効率太陽電池プロセスのn型UMG-Czウエハへの応用は,2×2cm2のセル面積で22.6%の変換効率をもつ太陽電池をもたらす。Copyright 2019 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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太陽電池 

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