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J-GLOBAL ID：201902215216124117   整理番号：19A2114687

InAs/(Ga,Fe)Sb量子井戸ヘテロ構造におけるゲート制御近接磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Gate-controlled proximity magnetoresistance in an InAs / (Ga,Fe)Sb quantum well heterostructure

著者 (6件)： Takiguchi Kosuke (The University of Tokyo, Japan) ,  Duc Anh Le (Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo, Japan) ,  Chiba Takahiro (National Institute of Technology, Fukushima College, Japan) ,  Koyama Tomohiro (The University of Tokyo, Japan) ,  Chiba Daichi (The University of Tokyo, Japan) ,  Tanaka Masaaki (Center for Spintronics Research Network, The University of Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気多層における巨大磁気抵抗(GMR)およびトンネル磁気抵抗(TMR)のような新しい形の大きな磁気抵抗(MR)の発見により,情報技術の進化が駆動されている。最近,新しいタイプのMRが強磁性(FM)/非磁性(NM)薄膜から成る非常に簡単な二分子層で観察されている。しかし,これらの材料におけるMRの大きさは非常に小さい(0.01~1%)。ここでは,NM InAs量子井戸伝導チャネルと絶縁性FM(Ga,Fe)Sb層から成るNM/FM二重層が巨大近接磁気抵抗(PMR)(14Tで~80%)を示すことを実証した。このPMRは,これまで報告されたNM/FM二重層で観測されたMRよりも2桁大きく,その大きさはゲート電圧により制御できる。これらの結果を,(Ga,Fe)SbへのInAs二次元電子波動関数の侵入によって説明した。電気的および磁気的ゲートの両方によるNMチャネル電流を強く変調する能力は,磁気ゲートスピントランジスタの新しい概念を表している。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *量子井戸 ,  チャネル ,  強磁性 ,  *磁気 ,  二次元 ,  電流 ,  *磁気抵抗 ,  波動関数 ,  *ヒ化インジウム
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  二重層 ,  非磁性 ,  トンネル磁気抵抗 ,  巨大磁気抵抗 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T)

タイトルに関連する用語 (8件)： InAs ,  Ga ,  Fe ,  Sb ,  量子井戸 ,  ヘテロ構造 ,  ゲート制御 ,  磁気抵抗