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J-GLOBAL ID：201902215224095185   整理番号：19S0362654

Estimation of phosphorus-implanted 4H-SiC layer recrystallization by electron-back-scattering diffraction pattern analysis

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著者 (4件)：
Hanafusa, Hiroaki

Hanafusa, Hiroaki について

, 
Maruyam, Keisuke

Maruyam, Keisuke について

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Hayashi, Shohei

Hayashi, Shohei について

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Higashi, Seiichiro

Higashi, Seiichiro について


資料名：
Materials Science Forum

Materials Science Forum について


巻： 821-823  ページ： 391-394  発行年： 2015年 
JST資料番号： SCOPUS  ISSN： 0255-5476  ISBN： 9783038354789  CODEN： MSFOE 
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

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