電荷中性量子トンネルトランジスタにおける伝搬プラズモン【JST・京大機械翻訳】

Woessner Achim; Misra Abhishek; Cao Yang; Torre Iacopo; Torre Iacopo; Mishchenko Artem; Mishchenko Artem; Lundeberg Mark B.; Watanabe Kenji; Taniguchi Takashi; Polini Marco; Novoselov Kostya S.; Novoselov Kostya S.; Koppens Frank H. L.; Koppens Frank H. L.

文献

J-GLOBAL ID：201902215286440224 整理番号：19A0180682

電荷中性量子トンネルトランジスタにおける伝搬プラズモン【JST・京大機械翻訳】

Propagating Plasmons in a Charge-Neutral Quantum Tunneling Transistor

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=19A0180682&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=19A0180682&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W5045A") }}

著者 (15件)： , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 4 号： 12 ページ： 3012-3017 発行年： 2017年
JST資料番号： W5045A ISSN： 2330-4022 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ナノスケールでの光の制御の極限限界は原子スケールである。六方晶窒化ホウ素(h-BN)上にグラフェンの多重層を積層することにより,独特のナノフォトニック特性を有するヘテロ構造を構築することができ,そこではプラズモン材料間の距離を原子スケール精度で制御できる。ここでは,原子的に厚い可変同調可能量子トンネリング素子を,量子プラズモニクスの構築ブロックとして用いることができることを示した。この素子は,h-BNの1nm(3単分子層)によって分離されたグラフェンの2層からなり,層間のバイアス電圧は正孔ガスに結合した電子ガスを発生させる。その全電荷がゼロであるにもかかわらず,この系は伝搬するグラフェンプラズモンを支持できることを示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , ,
, , , , , , , , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： , , , ,

炭素とその化合物 , 固体プラズマ

, , , , ,

前のページに戻る