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J-GLOBAL ID：201902215327020984   整理番号：19A1415795

調整可能なSchottky障壁を持つ直列におけるナノスケールpn接合【JST・京大機械翻訳】

A nanoscale pn junction in series with tunable Schottky barriers

著者 (3件)： Aspitarte Lee (Department of Physics, Oregon State University, Corvallis, Oregon 97331, USA) ,  McCulley Daniel R. (Department of Physics, Oregon State University, Corvallis, Oregon 97331, USA) ,  Minot Ethan D. (Department of Physics, Oregon State University, Corvallis, Oregon 97331, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 13  ページ： 134304-134304-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール材料におけるPN接合は,光検出器,太陽電池,発光ダイオードを含む一連の技術に対して関心が持たれている。しかし,金属接触とナノ材料間の界面におけるSchottky障壁はしばしば避けられない。ナノスケールダイオードの挙動に及ぼす金属-半導体界面の影響は,pn接合の特性を抽出し,最終素子の全体的特性を理解するために理解されなければならない。ここでは,完全に懸濁したカーボンナノチューブ(CNT)中に形成されたダイオードの電流-電圧特性を研究した。デバイス特性に及ぼすSchottky障壁の役割を解明するために,CNT-金属界面における可変同調Schottky障壁高さを利用した。明らかに類似した素子から種々の素子特性が生じる方法を示す定量的モデルを開発した。著者らのモデルを用いて,Schottky障壁とpn接合の重要なパラメータを抽出し,素子の全体的なI-V特性を予測した。著者らの等価回路モデルは,現在研究中の様々なナノ材料ベースのダイオード素子に関連している。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 太陽電池 ,  ナノ材料 ,  電流電圧特性 ,  *Schottky障壁 ,  *PN接合 ,  発光ダイオード ,  光検出器 ,  懸濁液 ,  ダイオード ,  界面
準シソーラス用語： 等価回路モデル ,  可変同調 ,  デバイス特性 ,  金属-半導体界面 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： Schottky障壁 ,  直列 ,  ナノスケール ,  PN接合