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J-GLOBAL ID：201902215346016891   整理番号：19A0473149

低電力,プリチャージフリー改良カムセルのSEU感度解析【JST・京大機械翻訳】

SEU sensitivity analysis of low power, precharge-free modified CAM cell

著者 (5件)： Amamath N (Dept. Micro and Nanoelectronics, Vellore Institue of Technology, Vellore, India) ,  Vijay H M (Dept. Micro and Nanoelectronics, Vellore Institue of Technology, Vellore, India) ,  Satyanarayana S V V (Dept. Micro and Nanoelectronics, Vellore Institue of Technology, Vellore, India) ,  Ramakrishnan N V (Dept. Micro and Nanoelectronics, Vellore Institue of Technology, Vellore, India) ,  Sriadibhatla Sridevi (Dept. Micro and Nanoelectronics, Vellore Institue of Technology, Vellore, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICDCS  ページ： 101-105  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CAMは,高速検索アプリケーションに用いられる有望なメモリファミリーの一つである。CAM電力消費は多くの探索操作のためにより多い。NANDとNOR型マッチラインCAMは,低電力応用において有用であるが,CAMアレイのマッチラインにおける電荷共有と短絡回路のような欠点がある。最近,CAMセルは,マッチラインのみを昇圧するために制御ビットを追加することにより,内部SRAMではなく,プレチャージ回路のフリーで実装された。本論文では,事前電荷フリーのPMOS論理ベースCAMセルを提案し,遅延,電力およびパワー遅延積(PDP)の観点から,提案CAMセルの計量を,無電荷NMOSベースCAMセルと比較した。シミュレーションは,技術ノードCadence設計環境において実行した。シミュレーション結果は,提案した設計のPDPがNMOSベースの無電荷CAMより91.17%の低減であることを示した。また,PMOSとNMOSに基づくプレチャージフリーCAMセルの両方について放射線研究を行った。PMOSベースCAMセルのマッチラインは,NMOSベースCAMセルのマッチラインより敏感である。PMOSベースCAMセルの閾値電流値は100μAであり,NMOSベースCAMセルは1.3mAである。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  シミュレーション ,  高速度 ,  電力消費 ,  *電力 ,  *充電 ,  SRAM ,  放射線 ,  NMOS構造 ,  電荷 ,  *感度解析
準シソーラス用語： PMOS構造 ,  電荷共有 ,  *プリチャージ ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電力 ,  プリチャージ ,  カム ,  セル ,  SEU ,  感度解析