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J-GLOBAL ID：201902215543789979   整理番号：19A0307573

超低スイッチング損失の5Vゲート電圧により駆動された1200VスケールIGBTの実証【JST・京大機械翻訳】

Demonstration of 1200V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage with Superiorly Low Switching Loss

著者 (23件)： Saraya T. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Itou K. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takakura T. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Fukui M. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Suzuki S. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takeuchi K. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Tsukuda M. (Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan) ,  Numasawa Y. (Meiji University, Kawasaki, Japan) ,  Satoh K. (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, Japan) ,  Matsudai T. (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp., Tokyo, Japan) ,  Saito W. (Toshiba Electronic Devices & Storage Corp., Tokyo, Japan) ,  Kakushima K. (Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan) ,  Hoshii T. (Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan) ,  Furukawa K. (Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan) ,  Watanabe M. (Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan) ,  Shigyo N. (Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan) ,  Tsutsui K. (Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan) ,  Iwai H. (Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan) ,  Ogura A. (Meiji University, Kawasaki, Japan) ,  Nishizawa S. (Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Omura I. (Kyushu Inst. of Technology, Kitakyushu, Japan) ,  Ohashi H. (Tokyo Inst. of Technology, Yokohama, Japan) ,  Hiramoto T. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IEDM  ページ： 8.4.1-8.4.4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元(3D)スケーリング概念に基づいて設計された機能的トレンチゲート1200V-10AクラスSi-IGBTを作製し,5Vゲート電圧スイッチング動作を初めて実証した。ターンオフ損失の33%の減少とオン状態電圧の100mVの改善を達成したが,1.2kVの順方向ブロッキング電圧を保った。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *IGBT ,  *電圧 ,  *スイッチング損失 ,  ターンオフ ,  *スイッチング ,  ブロッキング ,  三次元
準シソーラス用語： オン状態 ,  トレンチゲート ,  *ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング損失 ,  ゲート電圧 ,  スケール ,  IGBT ,  実証