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J-GLOBAL ID：201902215611194491   整理番号：19A1414981

唯一の固体源としてのペンタクロロピリジンによる窒素ドープグラフェンの合成【JST・京大機械翻訳】

Synthesis of nitrogen-doped graphene via pentachloropyridine as the sole solid source

著者 (9件)： Wan J. X. (Thin Film Optoelectronic Technology Center, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China) ,  You Y. (Thin Film Optoelectronic Technology Center, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China) ,  Xu Y. L. (Thin Film Optoelectronic Technology Center, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China) ,  Wang C. (Thin Film Optoelectronic Technology Center, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China) ,  Zhang P. B. (Thin Film Optoelectronic Technology Center, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China) ,  Jiang X. Y. (Thin Film Optoelectronic Technology Center, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China) ,  Fang X. H. (Thin Film Optoelectronic Technology Center, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China) ,  Yang L. Y. (Thin Film Optoelectronic Technology Center, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China) ,  Chen X. Y. (Thin Film Optoelectronic Technology Center, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 3  ページ： 033106-033106-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの格子面における窒素原子の置換は,グラフェンの電子的性質を調整し,半金属からn型半導体へと変換することができる。ここでは,唯一の固体前駆体に基づく化学蒸着法により,窒素原子ドープ量4.4~7.5%の窒素ドープグラフェン膜の実用的成長を報告する。高温でのポストアニーリング処理後,窒素ドープグラフェン膜の形態と結晶化品質はかなり改善された。合成したままの窒素ドープグラフェン膜は,約6.55×10~12cm-2の電子キャリア密度と約522cm~2V~-1s-1のHall移動度をもつ典型的なn型挙動を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Hall移動度 ,  品質 ,  キャリア密度 ,  N型半導体 ,  結晶化 ,  *グラフェン ,  前駆体 ,  半金属 ,  *ドーピング ,  化学蒸着 ,  高温
準シソーラス用語： ポストアニーリング ,  窒素原子 ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

物質索引 (1件)： ペンタクロロピリジン

タイトルに関連する用語 (4件)： 固体 ,  ペンタクロロピリジン ,  窒素ドープ ,  グラフェン