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J-GLOBAL ID：201902215703080653   整理番号：19A2117799

InGaAs/InAlAs単一光子アバランシェダイオードの破壊電圧特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Breakdown Voltage Characteristics of InGaAs/InAlAs Single Photon Avalanche Diodes

著者 (2件)： Chang Shih-Cheng (National Central University, Taoyuan, Taiwan) ,  Lee Yi-Shan (National Central University, Taoyuan, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： OECC/PSC  ページ： 1-3  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs/InAlAs単一光子アバランシェダイオードの温度依存性を調べた。温度の関数としての破壊電圧は2つの傾斜挙動を示した。温度係数はアバランシェ領域に敏感である。不完全側壁の問題を除外した。しかしながら,物理学は更なる研究を必要とする。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  温度係数 ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： 温度関数 ,  *絶縁破壊電圧 ,  *単一光子アバランシェダイオード ,  *ヒ化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  InAlAs ,  単一光子アバランシェダイオード ,  破壊 ,  電圧特性 ,  研究