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J-GLOBAL ID：201902215771459706   整理番号：19A0660349

Au@MOS_2コア-シェルヘテロ構造に基づく優れたプラズモン光検出器【JST・京大機械翻訳】

Superior Plasmonic Photodetectors Based on Au@MoS₂ Core-Shell Heterostructures

著者 (17件)： Li Yuan (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Li Yuan (ANCE Center, Northwestern University) ,  DiStefano Jennifer G. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  DiStefano Jennifer G. (International Institute for Nanotechnology (IIN), Northwestern University) ,  Murthy Akshay A. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Cain Jeffrey D. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Cain Jeffrey D. (International Institute for Nanotechnology (IIN), Northwestern University) ,  Hanson Eve D. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Hanson Eve D. (International Institute for Nanotechnology (IIN), Northwestern University) ,  Li Qianqian (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Li Qianqian (ANCE Center, Northwestern University) ,  Castro Fernando C. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Chen Xinqi (ANCE Center, Northwestern University) ,  Chen Xinqi (Department of Mechanical Engineering, Northwestern University) ,  Dravid Vinayak P. (Department of Materials Science and Engineering, Northwestern University) ,  Dravid Vinayak P. (ANCE Center, Northwestern University) ,  Dravid Vinayak P. (International Institute for Nanotechnology (IIN), Northwestern University)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 10  ページ： 10321-10329  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズモン材料を半導体媒体に集積することは,光センシングや太陽エネルギー変換などの応用に有望なアプローチを提供する。結果として得られた構造は,光捕集デバイスのための増強された光-物質相互作用,付加的な電荷トラップ状態,および効率的な電荷移動経路を導入し,特に密接な界面がプラズモンナノ構造と半導体との間に構築されるときに,それらの構造を導入する。ここでは,Au@MoS_2ヘテロ構造を用いたプラズモン光検出器の開発について報告する。これは,AuとMoS_2の密接で直接的な界面を完全に実現するCVD成長多層MoS_2シェルによりカプセル化されたAuナノ粒子コアである。異なるタイプの光検出デバイスにおけるそれらの好ましい応用を調べた。第一は,平面MoS_2トランジスタのそれよりも約10倍高い光応答性を示す大面積交差指型電界効果フォトトランジスタの開発を含む。他のタイプのデバイス構造はSi担持Au@MoS_2ヘテロ接合ゲートレス光ダイオードである。その優れた光応答と回復能力を示し,光応答性は22.3A/Wと高く,これは以前に報告された類似の無ゲート光検出器の最も識別された値を超えている。光センシング性能の改善は,増強された光吸収,より多くのトラップ状態の生成,およびおそらく界面電荷移動遷移の形成を含む多重因子の組合せ結果であり,AuとMoS_2の密接な結合から利益を得た。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *光検出器 ,  半導体 ,  *金 ,  電荷移動 ,  素子構造 ,  *光検出 ,  ヘテロ接合 ,  光吸収 ,  ナノ構造 ,  *プラズモン
準シソーラス用語： 大面積 ,  光応答 ,  金ナノ粒子 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Au@MOS_2 ,  コア-シェル ,  ヘテロ構造 ,  プラズモン増強 ,  検出器

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： コア-シェル ,  ヘテロ構造 ,  プラズモン ,  光検出器