文献

J-GLOBAL ID：201902215963671523   整理番号：19A0920892

水平方向結晶化の改良された高収率法による光学Ge板の成長【JST・京大機械翻訳】

Growing optical Ge plates with an improved high-yield method of horizontal directed crystallization

著者 (2件)： Pekar G. S. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 41 Prospect Nauki, 03028 Kiev, Ukraine. [e-mail] [e-mail]) ,  Singaevsky A. F.
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 21  号： 14  ページ： 2447-2450  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,いくつかの多結晶または単結晶板を各成長過程で成長させることを可能にする水平方向結晶化(HDC)の改良技術を広めることを目的とした。この技術は,通常のHDC法よりも生産性が高く,費用対効果が高く,1枚の板のみを成長させることができる。同じプロセス条件下でプレートを成長させ,必要な場合には,それらを同じあるいは異なる不純物濃度でドープすることができる。開発された技術の主な特徴は,成長容器は,例えば,グラファイトのような耐熱性材料で作られており,容器の長さに沿って連続的に位置する原料のためのいくつかの空洞(チャンバー)を有することである。単結晶板を成長させるために,全てのチャンバは薄いチャネルで相互接続されている。夜間ビジョン用に使用される熱画像システム用の保護スクリーンの工業的製造に使用される400cm~2までの面積を持つNaドープ光学ゲルマニウム板の成長にこの技術を適用した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： チャネル ,  不純物濃度 ,  相互接続 ,  単結晶 ,  スクリーン ,  成長段階 ,  多結晶 ,  *ゲルマニウム ,  グラファイト ,  熱画像 ,  ナトリウム ,  ドーピング ,  耐熱材料 ,  *結晶化
準シソーラス用語： チャンバ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩  (CD01050V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水平方向 ,  結晶化 ,  収率 ,  光学 ,  Ge ,  成長