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J-GLOBAL ID：201902216029548166   整理番号：19A1888002

プロピニル終端Si(111)表面の構造と方位異方性の振動和周波数分光研究【JST・京大機械翻訳】

Vibrational Sum-Frequency Spectroscopic Investigation of the Structure and Azimuthal Anisotropy of Propynyl-Terminated Si(111) Surfaces

著者 (5件)： Dhar Purnim (Department of Chemistry, University of Southern California, California, United States) ,  Plymale Noah T. (Division of Chemistry and Chemical Engineering, Beckman Institute, and Kavli Nanoscience Institute, California Institute of Technology, California, United States) ,  Malyk Sergey (Department of Chemistry, University of Southern California, California, United States) ,  Lewis Nathan S. (Division of Chemistry and Chemical Engineering, Beckman Institute, and Kavli Nanoscience Institute, California Institute of Technology, California, United States) ,  Benderskii Alexander V. (Department of Chemistry, University of Southern California, California, United States)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 31  ページ： 16872-16878  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 振動和周波数発生(VSFG)分光法を用いて,プロピニル終端Si(111)表面,Si-C≡C-CH_3に対するC-H伸縮モードの配向と方位異方性を調べた。VSFGスペクトルは対称C-H伸縮振動と非対称C-H伸縮振動の相互作用から生じるFermi共鳴モードに加えて対称及び非対称C-H伸縮モードを明らかにした。C-H伸縮モードの分極依存性は,Si-C≡C結合がSi(111)表面に垂直であるように配向したプロピニル基と一致した。共鳴C-H伸縮振幅の方位角依存性は対称C-H伸縮モードに対して回転異方性を示さず,3倍対称Si(111)基板によるレジストリにおける非対称C-H伸縮モードに対して3倍回転異方性を示した。結果は,-C≡C-スペーサにより,-CH_3基のC-H伸縮モードがSi基板から分離されるという期待と一致した。対照的に,メチル終端Si(111)表面,Si-CH_3は,バルクSiの電子浴へのメチル伸縮モードの顕著な振電結合を持つことが以前に報告された。プロピニル終端Si(111)の真空アニーリングは対称伸縮に対する3倍の方位異方性の増加をもたらし,アニーリングによる表面からのプロピニル基の除去により,残りのプロピニル基が空の隣接サイトに向かって3つの優先方向の1つに垂直に傾くことを示唆した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スペーサ ,  振電相互作用 ,  スペクトロスコピー ,  角度依存性 ,  非対称性 ,  *異方性 ,  共鳴 ,  *ケイ素 ,  和周波数発生 ,  スペクトル ,  分極 ,  対称性 ,  焼なまし
準シソーラス用語： *シリコン(111) ,  *和周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  分子の性質一般  (BH05031D) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 終端 ,  Si ,  方位 ,  異方性 ,  和周波数 ,  分光 ,  研究