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J-GLOBAL ID：201902216160002916   整理番号：19A2344645

固体誘電体と気体界面に沿った表面電気破壊中の有効表面層厚の直接プロービング【JST・京大機械翻訳】

Direct probing of the effective surface layer thickness during surface electrical breakdown along the solid dielectric and gas interface

著者 (5件)： Zheng Xu (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, PR China) ,  Li Zhen (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, PR China) ,  Zhang Le (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, PR China) ,  Li Jianying (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, PR China) ,  Li Shengtao (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, Shaanxi 710049, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 498  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面特性は表面電気絶縁破壊または表面フラッシュオーバにおいて重要な役割を果たす。主な電子過程は提案されているが,表面層が輸送キャリアとの相互作用にどのように関与しているかはまだ明らかではない。本研究では,ガラス基板上に堆積したiPP層の厚さ(d_iPP)を正確に操作することにより,イソタクチックポリプロピレン(iPP)の有効表面層厚(L_f)を直接的に調べた。直流表面フラッシュオーバ電圧は,d_iPPが200nmを超えると,裸のガラス基板の17.5kVから21.0kVの飽和値まで,d_iPPにより著しく変化することが分かった。フラッシオーバ電圧はd_iPPに対して指数関数的依存性を示し,それからL_fは約45nmと推定される。iPP薄膜の形態を原子間力顕微鏡法により調べた。それは,非晶質境界に囲まれた海様構造を持つ連続層への散乱iPP凝集体を持つ不連続層からの膜厚依存成長挙動を示す。輸送担体とiPP間の主な電子相互作用は200nm厚さの表面層内に閉じ込められ,表面フラッシュオーバの更なる理解と改良におけるその形態的及び電気的性質の重要性を意味すると結論した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜成長 ,  不連続性 ,  *表層 ,  絶縁破壊 ,  膜厚 ,  *界面 ,  フラッシュオーバ ,  海洋 ,  非晶質 ,  形態 ,  散乱 ,  *層厚 ,  電圧 ,  相互作用 ,  直流
準シソーラス用語： ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 固体-気体界面 ,  表面電気破壊 ,  有効表面層 ,  高分子薄膜 ,  構造-特性関係

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 固体誘電体 ,  気体 ,  界面 ,  破壊 ,  層厚