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J-GLOBAL ID:201902216160689177   整理番号:19A1409500

ガラス上の堆積条件とナノシート緩衝層によるPb(Zr_0.52Ti_0.48)O_3膜における圧電応答の制御【JST・京大機械翻訳】

Controlling Piezoelectric Responses in Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 Films through Deposition Conditions and Nanosheet Buffer Layers on Glass
著者 (10件):
資料名:
巻:号: 41  ページ: 35947-35957  発行年: 2017年10月18日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ナノシートCa_2Nb_3O_10(CNOns)層をLangmuir-Blodgett法により超低膨張ガラス基板上に堆積し,パルスレーザ蒸着(PLD)を用いてPb-(Zr_0.52Ti_0.48)-O_3(PZT)薄膜の優先(001)配向成長を得た。PZT膜の堆積に用いたPLD堆積温度と繰返し周波数は,微細構造の正確な制御と強誘電特性と圧電特性の重要な役割を果たしていることが分かった。高繰返し周波数で堆積した膜は柱状結晶粒構造を有し,縦圧電係数(d_33f)の増加を助けた。CNOns/ガラス基板上の2μm厚PZT膜に対して,356pm V-1のd_33f値の増大が得られた。この高い値は基板表面に垂直な結晶性[001]軸の優先配向と開放柱状構造に起因する。CNOns/ガラス基板上に成長させたPZT膜に基づく大変位アクチュエータは,スマートX線光学応用において有用である。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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