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J-GLOBAL ID：201902216292490159   整理番号：19A1985959

PbSe/MoSe2ヘテロ接合フォトダイオードの開発【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of PbSe/MoSe2 heterojunction photodiode

著者 (4件)： Fan Xudong (電子科技大学 電子科学与工程学院 電子薄膜与集成器件国家重点実験室,四川 成都,611731) ,  Dai Tianjun (電子科技大学 電子科学与工程学院 電子薄膜与集成器件国家重点実験室,四川 成都,611731) ,  Pan Qi (電子科技大学 電子科学与工程学院 電子薄膜与集成器件国家重点実験室,四川 成都,611731) ,  Liu Xingzhao (電子科技大学 電子科学与工程学院 電子薄膜与集成器件国家重点実験室,四川 成都,611731)
資料名： Dianzi Yuanjian yu Cailiao  (Dianzi Yuanjian yu Cailiao)
巻： 38  号： 6  ページ： 86-89  発行年： 2019年 
JST資料番号： C2506A  ISSN： 1001-2028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： PbSeとMoSe2薄膜を分子ビームエピタクシーにより合成し,Raman分光法とXRD回折スペクトルにより特性化し,PbSe/MoSe2ヘテロ接合光ダイオードを開発し,その光電応答特性を調べた。1300nmの赤外光源を照射し,零バイアスと-5Vのバイアス印加下で,それぞれ5×109cmHz1/2W-1と2.9×1011cmHz1/2W-1の検出率を得た。優れた光電応答特性を示した。特に,負バイアス動作モードでは,デバイスはオフ状態にあり,暗電流が低いため,より高い光/暗電流比とより優れた総合性能を持つ。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  *セレン化鉛 ,  薄膜 ,  スペクトル ,  *ヘテロ接合 ,  暗電流 ,  MBE成長 ,  *フォトダイオード ,  赤外光源 ,  バイアス ,  X線回折 ,  応答特性
準シソーラス用語： オフ状態 ,  印加電圧 ,  光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： PbSe ,  ヘテロ接合 ,  フォトダイオード ,  開発