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J-GLOBAL ID：201902216305017484   整理番号：19A0511932

高品質Fe-Se-Te薄膜を成長させるための堆積条件の最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of Deposition Conditions to Grow High-Quality Fe-Se-Te Thin Films

著者 (5件)： Yuan Pusheng (Key Laboratory of Applied Superconductivity, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Xu Zhongtang (Key Laboratory of Applied Superconductivity, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Ma Yanwei (Key Laboratory of Applied Superconductivity, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Sun Yue (Department of Applied Physics, University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Tamegai Tsuyoshi (Department of Applied Physics, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.7500105.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能Fe-Se-Te(F)膜は,それらの単純な構造のために,結晶構造と材料の超伝導特性の間の関係を明らかにするのに好都合である。したがって,高品質の「11」薄膜を調製することは特に重要である。ここでは,T~0_cの厚さと堆積温度依存性に焦点を合わせ,約200nmの厚さと300°Cの堆積温度が,CaF_2とSrTiO_3基板上の高品質FST膜成長の最適パラメータであり,それぞれ18.8Kと17KのT0_cを示すことを見出した。CaF_2とSrTiO_3上に成長させたFST膜の磁気J_c値は,4.2Kと自己場において2以上の10~6A cm-2よりも大きく,FST単結晶のそれよりも著しく高かった。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  薄膜成長 ,  *最適化 ,  磁気 ,  超伝導 ,  単結晶 ,  *薄膜 ,  結晶構造
準シソーラス用語： 最適パラメータ ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高品質 ,  Fe ,  Se ,  Te ,  薄膜 ,  成長 ,  堆積 ,  最適化