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J-GLOBAL ID：201902216613351753   整理番号：19A2352847

n-MOS_2とp-MoTe_2トランジスタの動作電圧制御に及ぼす有機分子誘起電荷移動の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Organic Molecule-Induced Charge Transfer on Operating Voltage Control of Both n-MoS₂ and p-MoTe₂ Transistors

著者 (8件)： Cho Yongjae (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Park Ji Hoon (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Kim Minju (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Jeong Yeonsu (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Yu Sanghyuck (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Lim June Yeong (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Yi Yeonjin (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Im Seongil (Van der Waals Materials Research Center, Department of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, Korea)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 19  号： 4  ページ： 2456-2463  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属二カルコゲン化物(TMD)半導体は離散エネルギーバンドギャップをもつ二次元van der Waals材料として見出されているので,多くのTMDベース電界効果トランジスタ(FET)がプロトタイプデバイスとして報告されている。しかし,これらのFETの閾値電圧(V_th)は,チャネルがpまたはn型であるかどうかにかかわらず,0Vから遠く離れていることを,全体の報告は示している。これは,高いスイッチング電圧と意図しないオフ状態漏れ電流を明確に引き起こす。ここでは,TMDsによるp-およびn-チャネルFETの両方のV_thを同時に変調する容易な方法を報告した。チャネル上への種々の有機小分子の堆積は,有機分子とTMDチャネル間の電荷移動をもたらす。特に,HAT-CN分子は,p-およびn-チャネルの両方に対して理想的に作用し,それらのV_thを0Vに同時にシフトさせることが分かった。概念の証明として,p-MoTe_2およびn-MOS_2チャネルを有する相補型金属酸化物半導体(CMOS)インバータは,初期性能と比較して,HAT-CN蒸着後に優れた電圧利得および最小電力消費を示した。CMOS構造の同じTMD FETを両極性スイッチングのためのOLED画素回路に集積したとき,HAT-CN膜を有する回路はOLED画素の完全なオン/オフスイッチングを実証した。それはHAT-CNなしでスイッチされなかった。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 画素 ,  *電荷移動 ,  チャネル ,  半導体 ,  二次元 ,  漏れ電流 ,  電力消費 ,  スイッチング ,  *トランジスタ ,  プロトタイプ ,  小分子 ,  蒸着 ,  *電圧
準シソーラス用語： 両極性 ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： HAT-CN ,  TMD ,  しきい値電圧 ,  有機分子 ,  電荷移動

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： トランジスタ ,  電圧制御 ,  有機分子 ,  誘起 ,  電荷移動